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AOWF12N50

产品描述MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小285KB,共6页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
标准
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AOWF12N50概述

MOSFET N-CH 500V 12A TO262F

AOWF12N50规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)520 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)37nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1633pF @ 25V
功率耗散(最大值)28W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3 整包,I²Pak

AOWF12N50相似产品对比

AOWF12N50
描述 MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 520 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1633pF @ 25V
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