电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

VS-12CTQ045STRL-M3

产品描述DIODE SCHOTTKY 45V 6A D2PAK
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小253KB,共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

VS-12CTQ045STRL-M3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
VS-12CTQ045STRL-M3 - - 点击查看 点击购买

VS-12CTQ045STRL-M3概述

DIODE SCHOTTKY 45V 6A D2PAK

VS-12CTQ045STRL-M3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.73 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流140 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流800 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
VS-12CTQ...S-M3, VS-12CTQ...-1-M3 Series
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
High Performance Schottky Rectifier, 2 x 6 A
FEATURES
• 175 °C T
J
operation
• Center tap configuration
• Low forward voltage drop
2
1
3
1
2
3
• High
purity,
high
temperature
epoxy
encapsulation for enhanced mechanical strength and
moisture resistance
TO-262AA
Base
common
cathode
2
D
2
PAK (TO-263AB)
Base
common
cathode
2
• High frequency operation
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 245 °C
• Designed and qualified according to JEDEC
®
-JESD 47
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
2
1 Common
3
Anode cathode Anode
VS-12CTQ...S-M3
VS-12CTQ...-1-M3
DESCRIPTION
The VS-12CTQ... center tap Schottky rectifier series has
been optimized for low reverse leakage at high temperature.
The proprietary barrier technology allows for reliable
operation up to 175 °C junction temperature. Typical
applications are in switching power supplies, converters,
freewheeling diodes, and reverse battery protection.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
R
V
F
at I
F
I
RM
max.
T
J
max.
E
AS
Package
Circuit configuration
2x6A
35 V, 40 V, 45 V
0.53 V
7.0 mA at 125 °C
175 °C
8 mJ
D
2
PAK (TO-263AB), TO-262AA
Common cathode
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
Range
t
p
= 5 μs sine
6 A
pk
, T
J
= 125 °C (per leg)
Range
CHARACTERISTICS
Rectangular waveform
VALUES
12
35 to 45
690
0.53
-55 to +175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
V
R
V
RWM
VS-12CTQ035S-M3
VS-12CTQ035-1-M3
35
VS-12CTQ040S-M3
VS-12CTQ040-1-M3
40
VS-12CTQ045S-M3
VS-12CTQ045-1-M3
45
UNITS
V
Revision: 27-Oct-17
Document Number: 94924
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
关于EZ-CUBE的讨论
折腾了两天的EZ-cube,下午意识到手机居然都没怎么充电{:1_133:}{:1_133:},果然还是板子的诱惑大啊。快递是昨天收到的,然后就开始各种测量,各种查资料了(过程省略。。。。。。。) 21549 ......
数码小叶 瑞萨MCU/MPU
如何利用手机模块实现短消息
全球定位系统(GPS)系统由于性能优异,在民用上应用范围很广。其可以用于空中交通管理、大地精密测量、摄影测量、监测地壳运动、火山活动、野外调查和勘探的定位、地面沉降、土地塌方,甚至于 ......
zhaojun_xf 单片机
WinCE外部程序调用!!!如何实现!!!50分~!
C#语言,谢谢,C++,VB等的都会,只需要C#的,求解,...
minicrab 嵌入式系统
基于atmega16 不用延时函数 流水灯验证
大家好,我是一个大一学生,刚学avr单片机,感觉用延时函数比较那个...所以拼命尝试, 代码如下:#include <avr/io.h>//io端口寄存器配置文件,必须包含int main(void)//GCC中main文件必须 ......
x34614338 Microchip MCU
TI的电源选型,很不错的。
263126 ...
dontium 模拟与混合信号
给入门的人
protel的基础教程,入门很合适...
一梦天涯 PCB设计

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1811  523  580  2616  2166  52  15  19  26  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved