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SICRD6650TR

产品描述DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小478KB,共7页
制造商SMC
官网地址http://www.smc-diodes.com/
标准
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SICRD6650TR概述

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

SICRD6650TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)650V
电流 - 平均整流(Io)6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.8V @ 6A
速度无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr)0ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流50µA @ 650V
不同 Vr,F 时的电容150pF @ 5V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装DPAK
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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SICR6650
SICRB6650
SICRD6650
SICRF6650
Technical Data
Data Sheet N1934, Rev.-
SICR6650
/ SICRB6650 / SICRD6650 / SICRF6650
650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER
Features
175°C T
J
operation
Ultra-low switching loss
Switching speeds independent of operating
temperature
Low total conduction losses
High forward surge current capability
High package isolation voltage
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional electrical and life testing can be performed
upon request
Description
SICR6650/ SICRB6650/ SICRD6650/ SICRF6650 are all
single SiC Schottky rectifiers packaged in TO-220AC,
D2PAK, DPAK and ITO-220ACcase. The device is a high
voltage Schottky rectifier that has very low total
conduction losses and very stable switching
characteristics over temperature extremes. The
SICR6650/ SICRB6650/ SICRD6650/ SICRF6650 are ideal
for energy sensitive, high frequency applications in
challenging environments.
Applications
Alternative energy inverters
Power Factor Correction (PFC)
Free-Wheeling diodes
Switching supply output rectification
Reverse polarity protection
SICR6650
SICRB6650
SICRD6650
SICRF6650
TO-220AC
D
2
PAK
DPAK
ITO-220AC
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @Tc=150°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse
Max.
650
6
60
Units
V
A
A
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com

SICRD6650TR相似产品对比

SICRD6650TR SICRB6650TR SICR6650 SICRF6650
描述 DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
二极管类型 碳化硅肖特基 碳化硅肖特基 碳化硅肖特基 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 650V 650V 650V 650V
电流 - 平均整流(Io) 6A 6A 6A 6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.8V @ 6A 1.8V @ 6A 1.8V @ 6A 1.8V @ 6A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io) 无恢复时间 > 500mA(Io) 无恢复时间 > 500mA(Io) 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr) 0ns 0ns 0ns 0ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 50µA @ 650V 50µA @ 650V 50µA @ 650V 50µA @ 650V
不同 Vr,F 时的电容 150pF @ 5V,1MHz 150pF @ 5V,1MHz 150pF @ 5V,1MHz 150pF @ 5V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 通孔 通孔
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-220-2 TO-220-2 全封装,隔离接片
供应商器件封装 DPAK D2PAK TO-220AC ITO-220AC
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
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