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SI3434-TP

产品描述MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小452KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SI3434-TP在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI3434-TP概述

MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT23

SI3434-TP规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)42 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V
Vgs(最大值)±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)245pF @ 15V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla Street Chatsworth

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$ %    !"#
SI3434
Features
High dense cell design for extremely low R
DS(ON)
Rugged and reliable
Lead free product is acquired
SOT-23 Package
Marking Code: R34
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
Symbol
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
R
©
JA
T
J
T
STG
Parameter
Drain-source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed
a
Gate-source Voltage
Thermal Resistance Junction to Ambient
b
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Rating
30
5.0
20
f10
417
-55 to +150
-55 to +150
G
N-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
D
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Unit
V
A
A
V
/W
3
1.GATE
C
B
2. SOURCE
3. DRAIN
1
F
E
2
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
Internal Block Diagram
D
G
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.104
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
S
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
A
1 of
4
2014/12/08
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这是在TI网站找到的例程: // // MSP430F413 // ----------------- // /|\| XIN|- // | | | 32kHz // ......
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