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SI2333-TP

产品描述P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小640KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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SI2333-TP概述

P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

SI2333-TP规格参数

参数名称属性值
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)150 毫欧 @ 500mA,1.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)2nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1275pF @ 6V
功率耗散(最大值)350mW(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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MCC
Micro Commercial Components
R
Micro Commercial Components
20736 Marilla Street Chatsworth
CA 91311
Phone:(818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
SI2333
Features
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
TrenchFET Power Mosfet
Excellent
R
DS(ON)
Marking Code: S33
P-Channel
Enhancement Mode
Field Effect Transistor
SOT-23
A
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
R
θ
JA
T
J
T
STG
Parameter
Drain-source Voltage
Drain Current-Continuous
(1)
Drain Current-Pulsed
Gate-source Voltage
Total Power Dissipation
Rating
-12
-6
-20
Unit
V
A
A
V
W
W
℃/W
℃/W
G
K
D
3
1.GATE
C
B
2. SOURCE
3. DRAIN
0.35
(2)
1.1
(1)
357
(2)
113
(1)
±8
1
F
E
2
Thermal
Resistance from Junction to
Ambient
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
-55 to +150
-55 to +150
H
J
NOTE 1. Device mounted on FR-4 substrate board, with minimum recommended
pad layout, single side.
2. Device mounted on no heat sink.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
Internal Block Diagram
D
MAX
.120
.104
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
G
Suggested Solder
Pad Layout
.031
.800
.035
.900
.079
2.000
inches
mm
S
.037
.950
.037
.950
www.mccsemi.com
Revision:
A
1
of
4
2016/03/11

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