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74LVC1G10GW-Q100H

产品描述74LVC1G10GW-Q100/SOT363/SC-88
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小739KB,共12页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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74LVC1G10GW-Q100H在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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74LVC1G10GW-Q100H概述

74LVC1G10GW-Q100/SOT363/SC-88

74LVC1G10GW-Q100H规格参数

参数名称属性值
Brand NameNexperia
厂商名称Nexperia
零件包装代码TSSOP
包装说明TSSOP,
针数6
制造商包装代码SOT363
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
Samacsys Description74LVC1G10-Q100 - Single 3-input NAND gate@en-us
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-G6
长度2 mm
逻辑集成电路类型NAND GATE
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数3
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
传播延迟(tpd)21.5 ns
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1.25 mm
Base Number Matches1

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74LVC1G10-Q100
Single 3-input NAND gate
Rev. 2 — 7 December 2016
Product data sheet
1. General description
The 74LVC1G10-Q100 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.
The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of
this device in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
time.
This device is fully specified for partial power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard
Q100 (Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.
2. Features and benefits
Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)
Specified from
40 C
to +85
C
and from
40 C
to +125
C
Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standard:
JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V).
24
mA output drive (V
CC
= 3.0 V)
CMOS low power consumption
Latch-up performance exceeds 250 mA
Direct interface with TTL levels
Inputs accept voltages up to 5 V
ESD protection:
MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0
)

 
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