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CMKSH-3DO TR

产品描述DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT363
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小598KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMKSH-3DO TR概述

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT363

CMKSH-3DO TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置2 个独立式
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)30V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)100mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)5ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500nA @ 25V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363

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CMKSH-3DO
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL, OPPOSING
SCHOTTKY DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKSH-3DO
incorporates two (2) galvanically isolated, low VF
silicon diodes with an opposing Anode/Cathode
configuration, in a space saving surface mount
package, designed for fast switching applications
requiring a low forward voltage drop.
MARKING CODE: KDO
SOT-363 CASE
FEATURES:
• Dual Opposing (DO) Schottky Diodes
• Small SOT-363 Package
• Galvanically Isolated
• Low Forward Voltage (0.51V TYP @ 100mA)
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CJ
trr
SYMBOL
VRRM
IF
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
30
100
250
-65 to +150
500
UNITS
V
mA
mW
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
VR=25V
500
VR=25V, TA=100°C
IR=100μA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
0.51
7.0
5.0
100
30
0.33
0.45
1.00
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
pF
ns
R5 (11-February 2016)

 
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