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CMXT2222A TR

产品描述TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT26
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小624KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMXT2222A TR概述

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT26

CMXT2222A TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型2 NPN(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

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CMXT2222A
SURFACE MOUNT
DUAL NPN
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXT2222A
type is a dual NPN silicon transistor manufactured
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a
SUPERmini™ surface mount package, and designed
for small signal general purpose and switching
applications.
MARKING CODE: X1P
SOT-26 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
ICBO
ICEV
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hie
hie
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
75
40
6.0
600
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
VCB=60V
10
VCB=60V, TA=125°C
10
VCE=60V, VEB=3.0V
10
VEB=3.0V
10
IC=10μA
75
IC=10mA
40
IE=10μA
6.0
IC=150mA, IB=15mA
0.3
IC=500mA, IB=50mA
1.0
IC=150mA, IB=15mA
0.6
1.2
IC=500mA, IB=50mA
2.0
VCE=10V, IC=0.1mA
35
VCE=10V, IC=1.0mA
50
VCE=10V, IC=10mA
75
VCE=10V, IC=150mA
100
300
VCE=1.0V, IC=150mA
50
VCE=10V, IC=500mA
40
VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz
300
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
8.0
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
25
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
2.0
8.0
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
0.25
1.25
UNITS
nA
μA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
R3 (12-February 2010)

 
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