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CMUT5401 TR

产品描述TRANS PNP 150V 0.6A SOT523
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小266KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMUT5401 TR概述

TRANS PNP 150V 0.6A SOT523

CMUT5401 TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)150V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)60 @ 10mA,5V
功率 - 最大值250mW
频率 - 跃迁300MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-89,SOT-490
供应商器件封装SOT-523

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CMUT5401
SURFACE MOUNT SILICON
PNP TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5401
type is a PNP silicon transistor manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for high voltage amplifier
applications.
MARKING CODE: 4C5
SOT-523 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
160
150
5.0
600
250
-65 to +150
500
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
hfe
NF
VCB=120V
VCB=120V, TA=100°C
VEB=3.0V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
VCE=5.0V, IC=1.0mA
VCE=5.0V, IC=10mA
VCE=5.0V, IC=50mA
VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=250μA, RS=1.0kΩ,
f=10Hz to 15.7kHz
50
60
50
100
40
160
150
5.0
MAX
50
50
50
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
0.2
0.5
1.0
1.0
240
300
6.0
200
8.0
V
V
V
V
MHz
pF
dB
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