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MT72HTS1G72FZ-667H1D6

产品描述MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240FBDIMM
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文件大小339KB,共11页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT72HTS1G72FZ-667H1D6概述

MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240FBDIMM

MT72HTS1G72FZ-667H1D6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
包装说明DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N240
内存密度77309411328 bit
内存宽度72
端子数量240
字数1073741824 words
字数代码1000000000
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织1GX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.5,1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL

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8GB (x72, QR) 240-Pin DDR2 SDRAM FBDIMM
Features
DDR2 SDRAM FBDIMM
MT72HTS1G72FZ – 8GB
Features
• 240-pin, DDR2 fully buffered DIMM (FBDIMM)
• Fast data transfer rates: PC2-4200, PC2-5300, or
PC2-6400
• 8GB (1 Gig x 72)
• 3.2 Gb/s, 4 Gb/s, and 4.8 Gb/s link transfer rates
• High-speed, 1.5V differential, point-to-point link
between host memory controller and the advanced
memory buffer (AMB)
• Fault-tolerant; can work around a bad bit lane in
each direction
• High-density scaling with up to eight FBDIMM
devices per channel
• SMBus interface to AMB for configuration register
access
• In-band and out-of-band command access
• Deterministic protocol
– Enables memory controller to optimize DRAM
accesses for maximum performance
– Delivers precise control and repeatable
memory behavior
• Automatic DDR2 SDRAM bus and channel
calibration
• Transmitter de-emphasis to reduce ISI
• MBIST and IBIST test functions
• Transparent mode for DRAM test support
Table 1: Key Timing Parameters
Speed
Grade
-80E
-667
-53E
Industry
Nomenclature
PC2-6400
PC2-5300
PC2-4200
Data Rate (MT/s)
CL = 6
800
CL = 5
800
667
CL = 4
533
553
553
CL = 3
400
400
400
t
RCD
t
RP
t
RC
Figure 1: 240-Pin FBDIMM (MO-256)
Module height: 30.35mm (1.19in)
Options
• Package
– 240-pin DIMM (halogen-free)
• Frequency/CAS latency
– 2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
– 3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
Marking
Z
-80E
-667
Features (Continued)
• V
DD
= V
DDQ
= 1.8V for DRAM
• V
REF
= 0.9V SDRAM command and address
termination
• V
CC
= 1.5V for AMB
• V
DDSPD
= 3–3.6V for AMB and EEPROM
• Serial presence-detect (SPD) EEPROM
• Gold edge contacts
• Full module heat spreader
• Halogen-free
• Quad rank, using 2Gb TwinDie™ devices
• Supports 95°C operation with 2x refresh
(ns)
12.5
15
15
(ns)
12.5
15
15
(ns)
55
55
55
PDF: 09005aef840ecabe
hts72c1gx72fz.pdf - Rev. B 4/14 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2010 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

MT72HTS1G72FZ-667H1D6相似产品对比

MT72HTS1G72FZ-667H1D6 MT72HTS1G72FZ-80EM1D6 MT72HTS1G72FZ-80EH1D6
描述 MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240FBDIMM MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240FBDIMM MODULE DDR2 SDRAM 8GB 240FBDIMM
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology
包装说明 DIMM, DIMM240,40 - DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code compliant - compliant
最长访问时间 0.45 ns - 0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz - 400 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N240 - R-XDMA-N240
内存密度 77309411328 bit - 77309411328 bit
内存宽度 72 - 72
端子数量 240 - 240
字数 1073741824 words - 1073741824 words
字数代码 1000000000 - 1000000000
最高工作温度 95 °C - 95 °C
组织 1GX72 - 1GX72
输出特性 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 - DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 1.5,1.8 V - 1.5,1.8 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192
表面贴装 NO - NO
技术 CMOS - CMOS
温度等级 OTHER - OTHER
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子节距 1 mm - 1 mm
端子位置 DUAL - DUAL
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