MT48H8M32LFB5-75 AT:H概述

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

MT48H8M32LFB5-75 AT:H规格参数

	MT48H8M32LFB5-75 AT:H	MT48H16M16LFBF-6 IT:H	MT48H16M16LFBF-6:H	MT48H8M32LFB5-6 IT:H
描述	IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA	IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
技术	SDRAM - 移动 LPSDR	SDRAM - 移动 LPSDR	CMOS	SDRAM - 移动 LPSDR
存储器类型	易失	易失	-	易失
存储器格式	DRAM	DRAM	-	DRAM
存储容量	256Mb （8M x 32）	256Mb （16M x 16）	-	256Mb （8M x 32）
时钟频率	133MHz	166MHz	-	166MHz
写周期时间 - 字，页	15ns	15ns	-	15ns
访问时间	5.4ns	5ns	-	5ns
存储器接口	并联	并联	-	并联
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.95 V	1.7 V ~ 1.95 V	-	1.7 V ~ 1.95 V
工作温度	-40°C ~ 105°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）	-	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装	表面贴装	-	表面贴装
封装/外壳	90-VFBGA	54-VFBGA	-	90-VFBGA
供应商器件封装	90-VFBGA（8x13）	54-VFBGA（8x9）	-	90-VFBGA（8x13）

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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