MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 22A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2200pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| NVMFS5C645NLAFT1G | NVMFS5C645NLAFT3G | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN | MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 22A（Ta），100A（Tc） | 22A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 4 毫欧 @ 50A，10V | 4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V | 34nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2200pF @ 50V | 2200pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），79W（Tc） | 3.7W（Ta），79W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） | 5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
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