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RSX071VAM30TR

产品描述SUPER FAST RECOVERY DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小2MB,共9页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSX071VAM30TR概述

SUPER FAST RECOVERY DIODE

RSX071VAM30TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.7 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RSX071VAM30
Schottky Barrier Diode
Data sheet
V
A
A
     
 
                                                 
Outline
V
R
I
o
I
FSM
30
0.7
5
 
 
 
 
 
 
 
   
Inner Circuit
Features
High reliability
Small mold type
Low V
F
and low I
R
Application
General rectification
Structure
Silicon epitaxial planar
Packaging Specifications
Packing
Embossed T
ape
Reel Size(mm)
180
T
aping Width(mm)
8
Basic Ordering Unit(pcs)
3000
T
aping Code
TR
Marking
Q
Absolute Maximum Ratings (T
c
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Average rectified forward current
Peak forward surge current
Junction temperature
(1)
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
o
I
FSM
T
j
T
stg
Conditions
Duty
0.5
Reverse direct voltage
Glass epoxy mounted
60Hz half sin waveform
resistive load
T
c
=120
Max.
60Hz half sin waveform
Non-repetitive
one cycle
T
a
=25
Limits
30
30
0.7
5
150
-40
½
150
Unit
V
V
A
A
-
-
Note(1) T avoid occurrence of thermal runaway
actual board is to be designed to fulfill dP
d
/dT
j
<1/R
th(j-a)
.
o
Characteristics (T
j
=25ºC unless otherwise specified)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Attention
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
=0.7A
V
R
=30V
Min. Typ. Max. Unit
-
-
0.39
40
0.42
200
V
μA
                                                                                        
www.rohm.com
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