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CMR1F-04M TR13

产品描述DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小994KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMR1F-04M TR13概述

DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

CMR1F-04M TR13规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)400V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 400V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装SMA
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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CMR1F-02M
CMR1F-04M
CMR1F-06M
CMR1F-08M
CMR1F-10M
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT SILICON
FAST RECOVERY RECTIFIERS
1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLT
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMR1F-02M series
1.0 Amp surface mount silicon rectifier is a well
constructed, highly reliable component designed for
use in all types of commercial, industrial, entertainment,
computer, and automotive applications where small
size is required. The SMA case occupies 30% less
board space than the SMB case.
MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON
FOLLOWING PAGE
SMA CASE
FEATURES:
• High reliability
• Glass passivated chip
• Special selections available
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL -02M
Peak Repetitive Reverse Voltage
VRRM
200
DC Blocking Voltage
VR
200
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current (TL=120°C)
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
VF
CJ
trr
trr
trr
VR(RMS)
IO
IFSM
TJ, Tstg
Θ
JL
140
-04M
400
400
280
CMR1F
-06M
600
600
420
1.0
30
-65 to +150
30
-08M
800
800
560
-10M
1000
1000
700
UNITS
V
V
V
A
A
°C
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VR=Rated VRRM
VR=Rated VRRM, TA=125°C
IF=1.0A
VR=0, f=1.0MHz
IF=0.5A,
IF=0.5A,
IR=1.0A, Irr=0.25A (CMR1F-02M, -04M)
IR=1.0A, Irr=0.25A (CMR1F-06M)
MAX
5.0
200
1.3
35
150
250
500
UNITS
µA
µA
V
pF
ns
ns
ns
IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A (CMR1F-08M, -10M)
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