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CMST5089 TR

产品描述TRANS NPN 30V 50MA SOT323
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小473KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMST5089 TR概述

TRANS NPN 30V 50MA SOT323

CMST5089 TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)25V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)50nA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)400 @ 100µA,5V
功率 - 最大值275mW
频率 - 跃迁50MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

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CMST5088
CMST5089
SURFACE MOUNT
NPN SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST5088,
CMST5089 types are NPN silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a SUPERmini™ surface mount package,
designed for applications requiring high gain and low
noise.
MARKING CODES: CMST5088: 1QC
CMST5089: 1RC
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMST5088
35
30
CMST5089
30
25
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
4.5
50
275
-65 to +150
455
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMST5088
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
ICBO
ICBO
IEBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
hfe
NF
VCB=20V
VCB=15V
VEB=3.0V
VEB=4.5V
IC=100μA
IC=1.0mA
IE=100μA
IC=10mA,
IC=10mA,
IB=1.0mA
IB=1.0mA
IC=0.1mA
IC=1.0mA
IC=10mA
IC=500μA, f=20MHz
-
-
-
-
35
30
4.5
-
-
300
350
300
50
-
-
350
-
50
-
50
-
-
-
-
0.5
0.8
900
-
-
-
4.0
15
1400
3.0
CMST5089
MIN
MAX
-
-
-
-
30
25
4.5
-
-
400
450
400
50
-
-
450
-
-
50
-
100
-
-
-
0.5
0.8
1200
-
-
-
4.0
15
1800
2.0
UNITS
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
VCE=5.0V,
MHz
pF
pF
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ
f=10Hz to 15.7kHz
dB
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