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ES2B-LTP

产品描述DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小375KB,共3页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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ES2B-LTP概述

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

ES2B-LTP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf950mV @ 2A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)35ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 100V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

ES2B-LTP相似产品对比

ES2B-LTP ES2J-LTP ES2C-LTP ES2G-LTP ES2A-LTP ES2D-LTP
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V 600V 150V 400V 50V 200V
电流 - 平均整流(Io) 2A 2A 2A 2A 2A 2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 950mV @ 2A 1.7V @ 2A 950mV @ 2A 1.25V @ 2A 950mV @ 2A 950mV @ 2A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 35ns 35ns 35ns 35ns 35ns 35ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 100V 5µA @ 600V 5µA @ 2V 5µA @ 400V 5µA @ 50V 5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz 15pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA
供应商器件封装 DO-214AC(SMA) DO-214AC(SMA) DO-214AC(SMA) DO-214AC(SMA) DO-214AC(SMA) DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C

 
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