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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N277
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1N277

产品描述GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB，共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

1N277概述

GERMANIUM, SIGNAL DIODE, DO-7

1N277规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性GOLD BOND
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料GERMANIUM
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流0.4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度90 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.075 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压125 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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Gold Bonded
1N277
Germanium Diodes
Optimized for Radio Frequency Response
Can be used in many AM, FM and TV-IF applications, replacing point contact devices.
Applications
AM/FM detectors
Ratio detectors
FM discriminators
TV audio detectors
RF input probes
TV video detectors
1.0"
25.4 mm
(Min.)
DO-7 Glass Package
0.018-0.022"
0.458-.558 mm
Length
0.230-0.30"
5.85-7.62mm
Dia
0.085-.107 "
2.16-2.71 mm
Features
Lower leakage current
Flat junction capacitance
High mechanical strength
At least 1 million hours MTBF
BKC's Sigma-Bond™ plating for
problem free solderability
Absolute Maximum Ratings
at T
amb
= 25
O
C
Parameter
Peak Inverse Voltage
Breakdown Voltage @ I
R
= 1.0 mA
Surge Current , t = 1 Second
Peak Operating Current
Average Rectified Forward Current
Operating and Storage Temperatures
Electrical Characteristics
at T
amb
= 25
O
C
Parameter
Test Conditions
Forward Voltage Drop
I
F
= 100 mA
Reverse Leakage
V
R
= 10 Volts,T
amb
= 75
O
C
Symbols
PIV
V
BR
I
FSM
I
OS
I
O
T
J & STG
Symbols
V
F
I
R
I
R
PIV
C
J
Min.
**
110
Max.
110
0.5
270
75
+90
Typ.
Max.
1.00
75
**
110
0.8
250
Units
Volts
Volts
Amps
mA
mA
O
C
Units
Volts
µA
µA
Volts
pF
-65
Min.
**
Reverse Leakage
V
R
= 50 Volts,T
amb
= 75
O
C
Breakdown Voltage @ I
R
= 1.0 mA
Junction Capacitance
f = 1MHz, V
R
= 0 volt
6 Lake Street - Lawrence, MA 01841
Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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