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CMPT2907AE TR

产品描述TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小400KB,共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPT2907AE TR概述

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23

CMPT2907AE TR规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)700mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值350mW
频率 - 跃迁200MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

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CMPT2907AE
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
PNP SILICON TRANSISTOR
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT2907AE
is an Enhanced version of the CMPT2907A PNP
Switching transistor in a SOT-23 surface mount
package, designed for switching applications, interface
circuit and driver circuit applications.
MARKING CODE: C2FE
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
SOT-23 CASE
BVCBO from 60V min to 90V min. (115V TYP)
VCE(SAT) from 1.6V max to 0.7V max. (0.280V TYP)
hFE from 50 min to 75 min. (110 TYP)
Collector-Base Voltage
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
90
60
5.0
600
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
ICBO
VCB=50V
ICBO
VCB=50V, TA=125°C
ICEV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
Cib
MAX
10
10
50
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=30V, VEB=0.5V
IC=10µA
IC=10mA
IE=10µA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
IC=150mA, IB=15mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=10V, IC=0.1mA
VCE=10V, IC=1.0mA
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=10V,
VCE=20V,
IC=10mA
IC=150mA
IC=500mA
IC=50mA, f=100MHz
90
60
5.0
115
0.103
0.280
0.2
0.7
1.3
2.6
100
100
100
100
75
200
205
300
110
MHz
8.0
30
pF
pF
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
VBE=2.0V, IC=0, f=1.0MHz
Enhanced specification
R2 (1-February 2010)

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