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US1JDFQ-13

产品描述DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小382KB,共5页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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US1JDFQ-13概述

DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

US1JDFQ-13规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.7V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容10pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳2-SMD,扁平引线
供应商器件封装D-Flat
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

US1JDFQ-13相似产品对比

US1JDFQ-13 US1MDFQ-13
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V @ 1A
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