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IDT70V261S55PF8

产品描述Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
产品类别存储   
文件大小151KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V261S55PF8概述

Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100

IDT70V261S55PF8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明PLASTIC, TQFP-100
针数100
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.006 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm
Base Number Matches1
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