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1N5476B

产品描述Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小206KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5476B概述

Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N5476B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比2.9
标称二极管电容100 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
变容二极管分类ABRUPT
Base Number Matches1
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