Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> CMUDM8001 TR

文档预览

CMUDM8001 TR: 产品描述MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小409KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 标准

下载文档详细参数全文预览

CMUDM8001 TR概述

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523

CMUDM8001 TR规格参数

参数名称	属性值
FET 类型	P 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	.66nC @ 4.5V
Vgs（最大值）	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	45pF @ 3V
功率耗散（最大值）	250mW（Ta）
工作温度	-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装
供应商器件封装	SOT-523
封装/外壳	SOT-523

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

CMUDM8001

SURFACE MOUNT

P-CHANNEL

ENHANCEMENT-MODE

SILICON MOSFET

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8001

is a P-Channel Enhancement-mode Silicon MOSFET,

manufactured by the P-Channel DMOS Process,

designed for high speed pulsed amplifier and driver

applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and

Low Theshold Voltage.

MARKING CODE: C8A

SOT-523 CASE

APPLICATIONS:

• Load/Power Switches

• Power Supply Converter Circuits

• Battery Powered Portable Equipment

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current (Steady State)

Continuous Drain Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

FEATURES:

•

Power Dissipation 250mW

Low rDS(ON)

Low Threshold Voltage

Logic Level Compatible

Small, SOT-523 Surface Mount Package

Complementary Device: CMUDM7001

UNITS

°C

UNITS

μA

SYMBOL

VDS

VGS

TJ, Tstg

100

200

250

-65 to +150

MAX

1.0

1.1

8.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

IGSSF, IGSSR VGS=10V, VDS=0

IDSS

VDS=20V, VGS=0

BVDSS

VGS=0, ID=100μA

VGS(th)

VDS=VGS, ID=250μA

0.6

rDS(ON)

VGS=4.0V, ID=10mA

1.9

rDS(ON)

VGS=2.5V, ID=10mA

2.4

rDS(ON)

VGS=1.5V, ID=1.0mA

Qg(tot)

VDS=10V, VGS=4.5V, ID=100mA

0.658

Qgs

Qgd

gFS

Crss

Ciss

Coss

ton

toff

VDS=10V, VGS=4.5V, ID=100mA

VDS=10V, ID=100mA

VDS=3.0V, VGS=0, f=1.0MHz

VDD=3.0V, VGS=2.5V, ID=10mA

0.158

0.181

100

R3 (22-August 2011)

推荐资源

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多