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CMSSH-3AE TR

产品描述DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小789KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMSSH-3AE TR概述

DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC

CMSSH-3AE TR规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阳极
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)40V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)200mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 200mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)5ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500nA @ 25V
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装SOT-323

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CMSSH-3E
CMSSH-3AE
CMSSH-3CE
CMSSH-3SE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT SILICON
SCHOTTKY DIODES
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMSSH-3E series
devices are enhanced versions of the CMSSH-3 series
of silicon Schottky diodes in an SOT-323 surface mount
package.
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
I
F
from 100mA MAX to 200mA MAX
B
VR
from 30V MIN to 40V MIN
V
F
from 1.0V MAX to 0.8V MAX
MARKING
MARKING
MARKING
MARKING
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
SOT-323 CASE
CMSSH-3E:
CMSSH-3AE:
CMSSH-3CE:
CMSSH-3SE:
SINGLE
DUAL, COMMON ANODE
DUAL, COMMON CATHODE
DUAL, IN SERIES
CODE:
CODE:
CODE:
CODE:
31E
3AE
3CE
3SE
UNITS
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
40
200
350
750
250
-65 to +150
500
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=10ms
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
IR
IR
VF
BVR
VF
VF
♦♦
VF
CJ
trr
CHARACTERISTICS PER DIODE:
(TA=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
VR=25V
90
500
VR=25V, TA=100°C
25
100
IR=100μA
IF=2.0mA
IF=15mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=1.0V, f=1.0MHz
IF=IR=10mA, Irr=1.0mA, RL=100Ω
40
50
0.29
0.37
0.51
0.65
7.0
5.0
0.33
0.42
0.80
1.0
UNITS
nA
μA
V
V
V
V
V
pF
ns
Enhanced specification.
♦♦
Additional Enhanced specification.
R3 (16-February 2016)

 
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