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TL062BID

产品描述OP-AMP
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小841KB,共15页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
相似器件已查找到16个与TL062BID功能相似器件
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TL062BID概述

OP-AMP

运算放大器

TL062BID规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.007 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.0002 µA
标称共模抑制比86 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压5000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限-18 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源+-15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率1.5 V/us
标称压摆率3.5 V/us
最大压摆率0.5 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
标称均一增益带宽1000 kHz
最小电压增益4000
宽度3.9 mm

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TL062, TL062A, TL062B
Low-power JFET dual operational amplifiers
Datasheet
production data
Features
Very low power consumption: 200 µA
Wide common-mode (up to V
CC+
) and
differential voltage ranges
Low input bias and offset currents
Output short-circuit protection
High input impedance JFET input stage
Internal frequency compensation
Latch up free operation
High slew rate: 3.5 V/µs
D
SO-8
(plastic micropackage)
N
DIP8
(plastic package)
Description
The TL062, TL062A and TL062B devices are
high-speed JFET input single operational
amplifiers. Each of these JFET input operational
amplifiers incorporates well matched,
high-voltage JFET and bipolar transistors in
a monolithic integrated circuit.
The devices feature high slew rates, low input
bias and offset currents, and a low offset voltage
temperature coefficient.
Pin connections
(top view)
1
2
3
4
-
+
-
+
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
7
8
- Output 1
- Inverting input 1
- Non-inverting input 1
- V
CC-
- Non-inverting input 2
- Inverting input 2
- Output 2
- V
CC+
September 2012
This is information on a product in full production.
Doc ID 2294 Rev 4
1/15
www.st.com
15

TL062BID相似产品对比

TL062BID TL062AMN TL062_07 TL062MN TL062BMN TL062BIN TL062BCN TL062AIN TL062AID
描述 OP-AMP OP-AMP OP-AMP OP-AMP OP-AMP OP-AMP OP-AMP OP-AMP OP-AMP
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 SOIC DIP - DIP DIP DIP DIP DIP SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 - DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25
针数 8 8 - 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli - compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK - VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.007 µA 0.007 µA - 0.05 µA 0.007 µA 0.007 µA 0.007 µA 0.007 µA 0.007 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.0002 µA 0.0002 µA - 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA 0.0002 µA
标称共模抑制比 86 dB 86 dB - 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB 86 dB
频率补偿 YES YES - YES YES YES YES YES YES
最大输入失调电压 5000 µV 7500 µV - 15000 µV 5000 µV 5000 µV 5000 µV 7500 µV 7500 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 - R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e3 - e3 e3 e3 e3 e3 e4
长度 4.9 mm 9.27 mm - 9.27 mm 9.27 mm 9.27 mm 9.27 mm 9.27 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES - YES YES YES YES YES YES
低-失调 NO NO - NO NO NO NO NO NO
微功率 YES YES - YES YES YES YES YES YES
负供电电压上限 -18 V -18 V - -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V - -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V -15 V
功能数量 2 2 - 2 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 - 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 105 °C 125 °C - 125 °C 125 °C 105 °C 70 °C 105 °C 105 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C - -55 °C -55 °C -40 °C - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP - DIP DIP DIP DIP DIP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 - DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE - IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
电源 +-15 V +-15 V - +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V +-15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.33 mm - 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 1.75 mm
最小摆率 1.5 V/us 1.5 V/us - 1.5 V/us 1.5 V/us 1.5 V/us 1.5 V/us 1.5 V/us 1.5 V/us
标称压摆率 3.5 V/us 3.5 V/us - 3.5 V/us 3.5 V/us 3.5 V/us 3.5 V/us 3.5 V/us 3.5 V/us
最大压摆率 0.5 mA 0.5 mA - 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
供电电压上限 18 V 18 V - 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V - 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
表面贴装 YES NO - NO NO NO NO NO YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR - BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY - MILITARY MILITARY INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz - 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz
最小电压增益 4000 4000 - 4000 4000 4000 4000 4000 4000
宽度 3.9 mm 7.62 mm - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm

推荐资源

与TL062BID功能相似器件

器件名 厂商 描述
TL062CDE4 Texas Instruments(德州仪器) Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
OP08EP Rochester Electronics OP-AMP, 260uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDIP8, MINI, PLASTIC, DIP-8
TL062CDRE4 Texas Instruments(德州仪器) Dual Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
TL062CDG4 Rochester Electronics DUAL OP-AMP, 20000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
TL062BCDR Texas Instruments(德州仪器) Low-Power JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
LM308D ST(意法半导体) OP-AMP, 10000uV OFFSET-MAX, 0.8MHz BAND WIDTH, PDSO8, MICRO, PLASTIC, SO-8
PM1008AZ Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 320uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
LM108AN-14 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) OP-AMP, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
M38510/10104SPA Texas Instruments(德州仪器) OP-AMP, 1000uV OFFSET-MAX, CDIP8, CERAMIC, DIP-8
LM308ADR2 Motorola ( NXP ) OP-AMP, 730uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8
LM308N Signetics Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, PLASTIC, DIP-8
JM38510/10104BPB Precision Monolithics Inc Operational Amplifier, 1 Func, 1000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, HERMETIC SEALED, DIP-8
LM308AD Motorola ( NXP ) Operational Amplifier, 1 Func, 730uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, PLASTIC, SO-8
LM308ANG ON Semiconductor(安森美) OP-AMP, PDIP8, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8
TL062IDE4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Dual Low-Noise JFET-Input
TL062CD ON Semiconductor(安森美) DUAL OP-AMP, 20000uV OFFSET-MAX, 2MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8

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