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1N1616R

产品描述5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N1616R概述

5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4

1N1616R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-4
包装说明O-MUPM-D1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
Glass Passivated Die
VRRM 200 to 1000 Volts
Qualified per MIL-PRF-19500/162
Glass to Metal Seal Construction
DEVICES
LEVELS
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
JAN
JANTX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
Symbol
Value
200
400
600
800
1000
15
100
4.5
-65°C to 175°C
-65°C to 175°C
Unit
V
RWM
V
Average Forward Current, T
C
= 150°
Peak Surge Forward Current @ t
p
= 8.3ms, half sinewave,
T
C
= 150°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating Case Temperature Range
Storage Temperature Range
I
F
I
FSM
R
θJC
T
j
T
STG
A
A
°C/W
°C
°C
DO-203AA (DO-4)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Forward Voltage
I
FM
= 15A, T
C
= 25°C*
Reverse Current
V
RM
= 200, T
C
= 25°C
V
RM
= 400, T
C
= 25°C
V
RM
= 600, T
C
= 25°C
V
RM
= 800, T
C
= 25°C
V
RM
= 1000, T
C
= 25°C
Reverse Current
V
RM
= 200, T
C
= 150°C
V
RM
= 400, T
C
= 150°C
V
RM
= 600, T
C
= 150°C
V
RM
= 800, T
C
= 150°C
V
RM
= 1000, T
C
= 150°C
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
1N1614
1N1615
1N1616
1N4458
1N4459
1N1614R
1N1615R
1N1616R
1N4458R
1N4459R
Symbol
V
FM
Min.
Max.
1.5
Unit
V
I
RM
50
μA
I
RM
500
μA
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%
Note:
T4-LDS-0139 Rev. 1 (091749)
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