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1N1190

产品描述35 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小373KB,共5页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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1N1190概述

35 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5

1N1190规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码DO-5
包装说明O-MUPM-D1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-203AB
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度190 °C
最大输出电流35 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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