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RN1103MFV(TPL3)

产品描述TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小858KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1103MFV(TPL3)概述

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

RN1103MFV(TPL3)规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time12 weeks

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RN1101MFV to RN1106MFV
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1101MFV, RN1102MFV, RN1103MFV
RN1104MFV, RN1105MFV, RN1106MFV
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
0.22 ± 0.05
Unit: mm
1.2 ± 0.05
Ultra-small package, suited to very high density mounting
Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of parts,
so enabling the manufacture of ever more compact equipment and lowering
assembly cost.
1.2 ± 0.05
A wide range of resistor values is available for use in various circuits.
Complementary to the RN2101MFV to RN2106MFV
0.8 ± 0.05
1
0.4
1
3
2
0.13 ± 0.05
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1101MFV
RN1102MFV
RN1103MFV
RN1104MFV
RN1105MFV
RN1106MFV
R1 (kΩ)
4.7
10
22
47
2.2
4.7
R2 (kΩ)
4.7
10
22
47
47
47
0.5 ± 0.05
0.4
VESM
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
2-1L1A
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1101MFV to 1106MFV
RN1101MFV to 1106MFV
RN1101MFV to 1104MFV
RN1105MFV, 1106MFV
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
(Note 1)
T
j
T
stg
Rating
50
50
10
5
100
150
150
−55
to 150
Weight: 1.5 mg (typ.)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant
change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Note 1: Mounted on an FR4 board
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm)
Pad Dimension(Reference)
0.5
Unit: mm
0.45
1.15
0.4
0.45
0.4
0.4
Start of commercial production
2005-02
1
2016-09-14
0.32 ± 0.05
0.80 ± 0.05

RN1103MFV(TPL3)相似产品对比

RN1103MFV(TPL3) RN1103MFV,L3F RN1102MFV,L3F
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
晶体管类型 - NPN - 预偏压 NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V 50V
电阻器 - 基底(R1) - 22 kOhms 10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2) - 22 kOhms 10 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 70 @ 10mA,5V 50 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 300mV @ 500µA,5mA 300mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA 500nA
功率 - 最大值 - 150mW 150mW
安装类型 - 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - SOT-723 SOT-723
供应商器件封装 - VESM VESM
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