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MUR840HC0G

产品描述DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小391KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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MUR840HC0G概述

DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

MUR840HC0G规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

MUR840HC0G相似产品对比

MUR840HC0G MUR860HC0G MUR840 C0G MUR820HC0G MUR860 C0G MUR820 C0G
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) - - 400V 200V 600V 200V
电流 - 平均整流(Io) - - 8A 8A 8A 8A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf - - 1.3V @ 8A 975mV @ 8A 1.7V @ 8A 975mV @ 8A
速度 - - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) - - 50ns 25ns 50ns 25ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 - - 5µA @ 400V 5µA @ 200V 5µA @ 600V 5µA @ 200V
安装类型 - - 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 - - TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
供应商器件封装 - - TO-220AC TO-220AC TO-220AC TO-220AC
工作温度 - 结 - - -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
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