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TLC271CDRG4

产品描述LinCMOS™ Programmable Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共82页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到20个与TLC271CDRG4功能相似器件
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TLC271CDRG4概述

LinCMOS™ Programmable Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70

TLC271CDRG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比65 dB
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00006 µA
最大输入失调电压10000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源3/16 V
可编程功率YES
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率3.6 V/us
最大压摆率1.6 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽2000 kHz
最小电压增益10000
宽带NO
宽度3.9 mm

与TLC271CDRG4功能相似器件

器件名 厂商 描述
TLC271CDR Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):2.2MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:950uA 压摆率(SR):5.3 V/us 电源电压:3V ~ 16V, ±1.5V ~ 8V 可编程低功耗运算放大器
TLC271CD Rochester Electronics OP-AMP, 12000uV OFFSET-MAX, 1.7MHz BAND WIDTH, PDSO8, GREEN, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8
TLC271CDG4 Texas Instruments(德州仪器) LinCMOS™ Programmable Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
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TLC271BIDR Texas Instruments(德州仪器) Programmable Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
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TLC271MDR Texas Instruments(德州仪器) LinCMOS™ Programmable Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC -55 to 125
TLC271BCDR Texas Instruments(德州仪器) Programmable Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
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