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MTZJ11SB R0G

产品描述DIODE ZENER 10.78V 500MW DO34
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小289KB,共7页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MTZJ11SB R0G概述

DIODE ZENER 10.78V 500MW DO34

MTZJ11SB R0G规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)10.78V
容差±2%
功率 - 最大值500mW
阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流200nA @ 8V
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AG,DO-34,轴向
供应商器件封装DO-34

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MTZJ2V0SA - MTZJ56S
Taiwan Semiconductor
500mW, 2V-56V Zener Diodes
FEATURES
● Wide zener voltage range selection: 2.0V to 56V
● Hermetically sealed glasss
● Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
KEY PARAMETERS
PARAMETER
V
Z
Test current I
ZT
P
D
T
J
MAX
VALUE
2.0 - 56
5
500
175
DO-34
Single die
UNIT
V
mA
mW
°C
APPLICATIONS
Low voltage stabilizers or voltage references
Adapters
Lighting application
On-board DC/DC converter
Package
Configuration
MECHANICAL DATA
Case: DO-34
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
Polarity: Indicated by cathode band
Weight: 92 mg (approximately)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Power dissipation
Junction temperature range
Storage temperature
SYMBOL
P
D
T
J
T
STG
VALUE
500
-55 to +175
-55 to +175
UNIT
mW
°C
°C
1
Version: C1804
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