550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp 8-SOIC -40 to 125
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 12 weeks |
Samacsys Descripti | IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
最小共模抑制比 | 55 dB |
标称共模抑制比 | 72 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA |
最大输入失调电压 | 4500 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.9 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | NO |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TR |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
功率 | NO |
电源 | +-1.35/+-8/2.7/16 V |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最小摆率 | 1 V/us |
标称压摆率 | 2.4 V/us |
最大压摆率 | 1.32 mA |
供电电压上限 | 16.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 3000 kHz |
最小电压增益 | 79432 |
宽带 | YES |
宽度 | 3.9 mm |
器件名 | 厂商 | 描述 |
---|---|---|
TLV2372IDR | Texas Instruments(德州仪器) | 增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:750uA 压摆率(SR):2.1 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 运算放大器-运放Dual3MHzR-ROpAmp |
TLV2372ID | Texas Instruments(德州仪器) | 550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp 8-SOIC -40 to 125 |
TLV2372IDG4 | Texas Instruments(德州仪器) | 550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp 8-SOIC -40 to 125 |
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