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TLV2374IDG4

产品描述550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小3MB,共62页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到5个与TLV2374IDG4功能相似器件
敬请期待 详细参数

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TLV2374IDG4概述

550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125

TLV2374IDG4规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOIC-14
针数14
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
最小共模抑制比55 dB
标称共模抑制比72 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.00006 µA
最大输入失调电压4500 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度8.65 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-1.35/+-8/2.7/16 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率1 V/us
标称压摆率2.4 V/us
最大压摆率0.66 mA
供电电压上限16.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽3000 kHz
最小电压增益79432
宽带YES
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

与TLV2374IDG4功能相似器件

器件名 厂商 描述
TLV2374IDR Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:750uA 压摆率(SR):2.1 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V 500-uA/CH 3-MHz Rail-to-Rail Input/Output Operational Amplifiers with Shutdown
TLV2374ID Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):2.1 V/us 电源电压:2.7V ~ 16V, ±1.35V ~ 8V
TLV2374IDRG4 Texas Instruments(德州仪器) 550-uA/Channel 3-MHz RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125
V62/05611-01YE Texas Instruments(德州仪器) Enhanced Product 550-Ua/Ch 3-Mhz Rail-To-Rail Input/Output Operational Amplifiers 14-SOIC -55 to 125
TLV2374MDREP Texas Instruments(德州仪器) Enhanced Product 550-Ua/Ch 3-Mhz Rail-To-Rail Input/Output Operational Amplifiers 14-SOIC -55 to 125

 
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