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RN4901,LF(CT

产品描述TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小276KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN4901,LF(CT概述

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

RN4901,LF(CT规格参数

参数名称属性值
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)4.7 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)30 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz,200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装US6

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RN4901
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP/NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor)
RN4901
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
Unit: mm
Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 4.7kΩ
R2: 4.7kΩ
(Q1, Q2 Common)
JEDEC
2-2J1A
Q1 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−10
−100
Unit
V
V
V
mA
JEITA
TOSHIBA
Weight: 6.8mg (typ.)
Q2 Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
10
100
Unit
V
V
V
mA
Start of commercial production
1990-10
1
2014-03-01

RN4901,LF(CT相似产品对比

RN4901,LF(CT RN4901(T5L,F,T) RN4901,LF
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA 100mA 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 50V 50V
电阻器 - 基底(R1) 4.7 千欧 4.7 千欧 4.7 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2) 4.7 千欧 4.7 千欧 4.7 千欧
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V 30 @ 10mA,5V 30 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA 500nA 500nA
频率 - 跃迁 250MHz,200MHz 200MHz,250MHz 200MHz,250MHz
功率 - 最大值 200mW 200mW 200mW
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装 US6 US6 US6

 
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