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RS1GLHRHG

产品描述DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小357KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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RS1GLHRHG概述

DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

RS1GLHRHG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL

 
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