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RN2310(TE85L,F)

产品描述TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小269KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2310(TE85L,F)概述

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

RN2310(TE85L,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time16 weeks

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RN2310,RN2311
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN2310, RN2311
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1310, RN1311
Unit: mm
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characterisstic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
−50
−50
−5
−100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Translation Frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN2310
RN2311
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
=
−50V,
I
E
= 0
V
EB
=
−5V,
I
C
= 0
V
CE
=
−5V,
I
C
=
−1mA
I
C
=
−5mA,
I
B
=
−0.25mA
V
CE
=
−10V,
I
C
=
−5mA
V
CB
=
−10V,
I
E
= 0, f = 1MHz
Min
120
3.29
7
Typ.
−0.1
200
3
4.7
10
Max
−100
−100
400
−0.3
6
6.11
13
Unit
nA
nA
V
MHz
pF
kΩ
Start of commercial production
1987-07
1
2014-03-01

RN2310(TE85L,F)相似产品对比

RN2310(TE85L,F) RN2311(TE85L,F) RN2310,LF RN2310(TE85LF) RN2310,LF(T
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown unknown
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