MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 330mA |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.2nC @ 4V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 43pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 150mW |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | ES6(1.6x1.6) |
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