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SSM6P36FE,LM

产品描述MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小2MB,共63页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM6P36FE,LM概述

MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6

SSM6P36FE,LM规格参数

参数名称属性值
FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)330mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)1.2nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)43pF @ 10V
功率 - 最大值150mW
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装ES6(1.6x1.6)
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