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IXFH16N60P3

产品描述MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小271KB,共5页
制造商IXYS ( Littelfuse )
官网地址http://www.ixys.com/
标准
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IXFH16N60P3概述

MOSFET N-CH 600V 16A TO-247

IXFH16N60P3规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)470 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)36nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1830pF @ 25V
功率耗散(最大值)347W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247
封装/外壳TO-247-3

IXFH16N60P3相似产品对比

IXFH16N60P3 IXFP16N60P3
描述 MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 470 毫欧 @ 500mA,10V 470 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1.5mA 5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V 36nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1830pF @ 25V 1830pF @ 25V
功率耗散(最大值) 347W(Tc) 347W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔
供应商器件封装 TO-247 TO-220
封装/外壳 TO-247-3 TO-220-3

 
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