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MUR190 A0G

产品描述DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小372KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MUR190 A0G概述

DIODE GEN PURP 900V 1A DO204AC

MUR190 A0G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)900V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.7V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)75ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 900V
不同 Vr,F 时的电容15pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装DO-204AC(DO-15)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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MUR160 thru MUR190
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
Glass Passivated High Efficient Rectifiers
- Designed for use in switching power supplies,
'inverters and as free wheeling diodes
- High efficiency, Low VF
- Ultrafast recovery time for high efficiency
- 175℃ operating junction temperature
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AC (DO-15)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.4g (approximately)
DO-204AC (DO-15)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
T
J
=150℃
T
J
=25℃
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
MUR160
600
420
600
1
35
MUR190
900
630
900
UNIT
V
V
V
A
A
V
F
1.05
1.25
5
150
50
27
50
- 55 to +175
- 55 to +175
1.50
1.70
V
I
R
Trr
Cj
R
θjA
T
J
T
STG
μA
75
15
O
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300
μs,
1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
ns
pF
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1405015
Version: J14
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