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MT36JSZF51272PIY-1G6XX

产品描述DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240
产品类别存储    存储   
文件大小402KB,共18页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT36JSZF51272PIY-1G6XX概述

DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240

MT36JSZF51272PIY-1G6XX规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N240
JESD-609代码e4
内存密度38654705664 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

MT36JSZF51272PIY-1G6XX相似产品对比

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描述 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, LEAD FREE, MO-269, RDIMM-240
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 240 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 e4 e4
内存密度 38654705664 bi 38654705664 bi 38654705664 bi 38654705664 bi 38654705664 bi 38654705664 bi 38654705664 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240 240
字数 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
组织 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72 512MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au) Gold (Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1

 
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