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2SA1931,SINFQ(J

产品描述TRANS PNP 5A 50V TO220-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小146KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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2SA1931,SINFQ(J概述

TRANS PNP 5A 50V TO220-3

2SA1931,SINFQ(J规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值)5A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)400mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 1A,1V
功率 - 最大值2W
频率 - 跃迁60MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装TO-220NIS

2SA1931,SINFQ(J相似产品对比

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描述 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3 TRANS PNP 5A 50V TO220-3
晶体管类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 5A 5A 5A 5A 5A 5A 5A 5A 5A
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 50V 50V 50V 50V 50V 50V 50V 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A 400mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO) 1µA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V 100 @ 1A,1V
功率 - 最大值 2W 2W 2W 2W 2W 2W 2W 2W 2W
频率 - 跃迁 60MHz 60MHz 60MHz 60MHz 60MHz 60MHz 60MHz 60MHz 60MHz
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS TO-220NIS
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