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TS12A4514DR

产品描述Low-Voltage, Low On-State Resistance SPST CMOS Analog Switches 8-SOIC -40 to 85
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小1MB,共23页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到4个与TS12A4514DR功能相似器件
敬请期待 详细参数

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TS12A4514DR概述

Low-Voltage, Low On-State Resistance SPST CMOS Analog Switches 8-SOIC -40 to 85

TS12A4514DR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Samacsys Confidence4
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID418124
Samacsys Pin Cou8
Samacsys Part CategoryIntegrated Circui
Samacsys Package CategorySmall Outline Packages
Samacsys Footprint NameD (R-PDSO-G8)
Samacsys Released Date2017-10-27 20:45:32
Is SamacsysN
其他特性ALSO OPERATES WITH 12V AND 5V
模拟集成电路 - 其他类型SPST
标称带宽475 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
湿度敏感等级1
正常位置NO
信道数量1
功能数量1
端子数量8
标称断态隔离度94 dB
最大通态电阻 (Ron)40 Ω
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
输出SEPARATE OUTPUT
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5/12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电流 (Isup)0.0002 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
最长断开时间120 ns
最长接通时间175 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

与TS12A4514DR功能相似器件

器件名 厂商 描述
TS12A4514D Texas Instruments(德州仪器) Low-Voltage, Low On-State Resistance SPST CMOS Analog Switches 8-SOIC -40 to 85
TS12A4514DBVR Texas Instruments(德州仪器)
TS12A4514DG4 Texas Instruments(德州仪器) Low-Voltage, Low On-State Resistance SPST CMOS Analog Switches 8-SOIC -40 to 85
TS12A4514DRG4 Texas Instruments(德州仪器) Low-Voltage, Low On-State Resistance SPST CMOS Analog Switches 8-SOIC -40 to 85

 
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