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FR1G-13

产品描述DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小46KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FR1G-13概述

DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

FR1G-13规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)400V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 400V
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AA,SMB
供应商器件封装SMB
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

FR1G-13相似产品对比

FR1G-13 FR1M-13 FR1B-13 FR1A-13 FR1D-13 FR1J-13 FR1K-13
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A SMB 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA DIODE GEN PURP 100V 1A SMB DIODE GEN PURP 50V 1A SMB DIODE GEN PURP 200V 1A SMB DIODE GEN PURP 600V 1A SMB DIODE GEN PURP 800V 1A SMB
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 400V - 100V 50V 200V 600V 800V
电流 - 平均整流(Io) 1A - 1A 1A 1A 1A 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 1A - 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A 1.3V @ 1A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 150ns - 150ns 150ns 150ns 250ns 500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 400V - 5µA @ 100V 5µA @ 50V 5µA @ 200V 5µA @ 600V 5µA @ 800V
安装类型 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AA,SMB - DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB DO-214AA,SMB
供应商器件封装 SMB - SMB SMB SMB SMB SMB
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C - -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C

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