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FR603-T

产品描述DIODE GEN PURP 200V 6A R6
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小52KB,共2页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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FR603-T概述

DIODE GEN PURP 200V 6A R6

FR603-T规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.3V @ 6A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)150ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
安装类型通孔
封装/外壳R6,轴向
供应商器件封装R-6
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

FR603-T相似产品对比

FR603-T FR602-T FR601-T FR604-T FR605-T FR606-T
描述 DIODE GEN PURP 200V 6A R6 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE DIODE GEN PURP 50V 6A R6 DIODE GEN PURP 400V 6A R6 DIODE GEN PURP 600V 6A R6 DIODE GEN PURP 800V 6A R6
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V - 50V 400V 600V 800V
电流 - 平均整流(Io) 6A - 6A 6A 6A 6A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.3V @ 6A - 1.3V @ 6A 1.3V @ 6A 1.3V @ 6A 1.3V @ 6A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) - 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 150ns - 150ns 150ns 250ns 500ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 200V - 10µA @ 50V 10µA @ 400V 10µA @ 600V 10µA @ 800V
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 R6,轴向 - R6,轴向 R6,轴向 R6,轴向 R6,轴向
供应商器件封装 R-6 - R-6 R-6 R-6 R-6
工作温度 - 结 -65°C ~ 175°C - -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C
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