MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 3A,2.5A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 125 毫欧 @ 1A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 300pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
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