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1N5239B-TP

产品描述DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小472KB,共5页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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1N5239B-TP概述

DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

1N5239B-TP规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)9.1V
容差±5%
功率 - 最大值500mW
阻抗(最大值)(Zzt)10 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流3µA @ 7V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.1V @ 200mA
工作温度-55°C ~ 150°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N5221
THRU
1N5267
500 mW
Zener Diode
2.4 to
75
Volts
DO-35
Features
Wide Voltage Range Available
Glass Package
High Temp Soldering: 260°C for 10 Seconds At Terminals
Marking : Cathode band and type number
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Moisture Sensitivity: Level 1
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
500 mWatt DC Power Dissipation
Power Derating: 4.0mW/°C above 50°C
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 Volts
Figure 1 - Typical Capacitance
100
D
A
Cathode
Mark
pf
10
At zero volts
B
At –2 Volts V
R
D
1
0
100
V
Z
200
C
Typical Capacitance (pf) –
versus
– Zener voltage (V
Z
)
Figure 2 - Derating Curve
400
DIMENSIONS
mW
200
DIM
A
B
C
D
INCHES
MIN
---
---
---
1.000
MAX
.166
.079
.020
---
MM
MIN
---
---
---
25.40
MAX
4.2
2.00
.52
---
NOTE
50
100
150
Temperature
°C
Power Dissipation (mW) -
Versus
- Temperature
°C
0
Note:
1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.
Revision:
A
www.mccsemi.com
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