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EN 01ZV

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小327KB,共3页
制造商SANKEN
官网地址http://www.sanken-ele.co.jp/en/
标准
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EN 01ZV概述

DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL

EN 01ZV规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf920mV @ 1.5A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)100ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 200V
安装类型通孔
封装/外壳轴向
工作温度 - 结-40°C ~ 150°C

EN 01ZV相似产品对比

EN 01ZV EN 01Z EN 01ZV0 EN 01ZW EN 01ZV1
描述 DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL DIODE GEN PURP 200V 1.5A AXIAL
二极管类型 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 200V 200V 200V 200V 200V
电流 - 平均整流(Io) 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A 1.5A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 920mV @ 1.5A 920mV @ 1.5A 920mV @ 1.5A 920mV @ 1.5A 920mV @ 1.5A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 100ns 100ns 100ns 100ns 100ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V 10µA @ 200V
安装类型 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 轴向 轴向 轴向 轴向 轴向
工作温度 - 结 -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C

 
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