MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Factory Lead Time | 1 week |
雪崩能效等级(Eas) | 56 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏源导通电阻 | 0.185 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | S-PSSO-N4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 2A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 53 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
IPL60R185P7AUMA1 | IPL60R185P7 | |
---|---|---|
描述 | MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4 | The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
湿度敏感等级 | 2A | 2A |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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