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UF1008F

产品描述10 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF1008F概述

10 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

UF1008F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code_compli
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO

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DATA SHEET
UF1000F~UF1008F
ISOLATION ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
50 to 800 Volts
CURRENT
10.0 Amperes
VOLTAGE
FEATURES
.112(2.85)
.100(2.55)
.272(6.9)
.248(6.3)
ITO-220AC
Unit : inch (mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of
MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Ultra fast recovery time, high voltage.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.406(10.3)
.381(9.7)
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
.606(15.4)
.583(14.8)
MECHANCALDATA
Case: ITO-220AC full molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: As marked.
Standard packaging: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.161(4.1)MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
.071(1.8)
.055(1.4)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
MAX
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T c = 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 0 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
A
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
A
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n C a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L U F 1 0 0 0 F U F 1 0 0 1 F U F 1 0 0 2 F U F 1 0 0 3 F U F 1 0 0 4 F U F 1 0 0 6 F U F 1 0 0 8 F U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
1 .0
10
500
80
50
2
-5 0 to +1 5 0
50
100
O
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
10
150
1 .3 0
400
280
400
600
420
600
800
560
800
V
V
V
A
A
1 .7 0
V
I
R
uA
C
J
T
RR
Rθ J C
T
J
, T
S TG
pF
ns
C / W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Thermal resistance from Junction to case.
4. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-FEB.19.2004
PAGE . 1
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