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UF604G

产品描述6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF604G概述

6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

UF604G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流6 A
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO

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DATA SHEET
UF600G~UF608G
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 800 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
P-600
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast switching for high efficiency.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
.052(1.3)
.048(1.2)
.360(9.1)
MECHANICALDATA
Case: Molded plastic, P-600
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,Method 208
.340(8.6)
Pb free: 98.5% Sn above
1.0(25.4)MIN.
Polarity: Band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.07 ounce, 2.1 gram
.360(9.1)
.340(8.6)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
P A R A M E TE R
M a xim um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
t
M a xim um R M S V o l a g e
t
M a xim um D C B l cking V o l a g e
o
t
M a xim um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt .3 7 5 "(9 .5 m m )
l a d l ng th a t T
A
= 5 5
O
C
e
e
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt : 8 .3 m s sing l ha l sine -w a ve
e
f
sup e rim p o se d o n ra te d l a d (JE D E C m e tho d )
o
M a xim um F o rw a rd V o l a g e a t 6 .0 A
t
M a xim um D C R e ve rse C urre nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a te d D C B l cking V o l a g e T
J
= 1 0 0
O
C
o
t
Typ ica l Junctio n ca p a cita nce (N o te 1 )
Typ ica l T he rm a l R e sista nce (N o te 2 )
M a xim um R e ve rse R e co ve ry Tim e (N o te 3 )
O p e ra ting Junctio n a nd S to ra g e Te m p e ra ture R a ng e
S YM B O L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
I
SM
F
V
F
R
I
U F 600G
50
35
50
U F 601G
100
70
100
U F 602G
200
140
200
6 .0
U F 604G U F 606G U F 608G
400
280
400
600
420
600
800
560
800
UNI S
T
V
V
V
A
A
250
1 .0
1 0 .0
500
300
10
50
-5 5 T O + 1 5 0
100
O
1 .3
1 .7
V
uA
pF
C /W
ns
O
C
J
R
θ
JA
T
R R
T
J
,T
S TG
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
STAD-MAR.31.2004
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