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VS-10ETS10STRL-M3

产品描述DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小258KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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VS-10ETS10STRL-M3在线购买

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VS-10ETS10STRL-M3概述

DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

VS-10ETS10STRL-M3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time16 weeks
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流160 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

VS-10ETS10STRL-M3相似产品对比

VS-10ETS10STRL-M3 P0603E2943PNPB VS-10ETS10STRR-M3 P0603E2943PNPC
描述 DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 294000ohm, 75V, 0.02% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 294000ohm, 75V, 0.02% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PSSO-G2 CHIP D2PAK-3/2 CHIP
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 155 °C 150 °C 155 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -40 °C -55 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMT SMALL OUTLINE SMT
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) TIN SILVER OVER NICKEL Matte Tin (Sn) TIN SILVER OVER NICKEL

 
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